专利名称：提高多晶硅尾气分离系统还原单元回收氯化氢纯度
的方法
专利类型：发明专利发明人：孙明炳
申请号：CN201110298696.7申请日：20110928公开号：CN102389687A公开日：20120328
摘要：本发明提供了一种提高多晶硅尾气分离系统还原单元回收氯化氢纯度的方法，将多晶硅尾气分离系统还原单元回收的低浓度氯化氢直接送入系统氢化单元，并优化了氢化单元工艺参数，从工艺角度解决了多晶硅尾气干法分离系统还原单元回收氯化氢纯度降低的问题，在吸收塔内使低温的氯硅烷液体能完全的吸收混合气体中的氯化氢气体形成富液，在解析塔内使富液能充分的解析出氯硅烷里的氯化氢气体，有效的提高了回收氯化氢的纯度，氯化氢纯度由现有的60%达到了85%。
申请人：四川瑞能硅材料有限公司
地址：620041 四川省眉山市修文镇铝硅产业园
国籍：CN
代理机构：成都九鼎天元知识产权代理有限公司
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