一种太阳电池光诱导电镀方法[发明专利]

(12)发明专利申请

(10)申请公布号 CN 105633195 A (43)申请公布日 2016.06.01

(21)申请号 201410603295.1(22)申请日 2014.10.31

(71)申请人陕西高华知本化工科技有限公司

地址710065 陕西省西安市高新区沣惠南路

36号橡树街区B座10406室(72)发明人刘秋丽

(74)专利代理机构西安亿诺专利代理有限公司

61220

代理人康凯(51)Int.Cl.

H01L 31/18(2006.01)

权利要求书1页 说明书2页

(54)发明名称

一种太阳电池光诱导电镀方法(57)摘要

一种太阳电池光诱导电镀方法，属于光伏产业制备领域。采用单晶硅对其表面碱腐蚀，制绒同时去掉表面损伤层，再进行磷扩散；扩散后，采用湿化学法去除硅片表面的磷硅玻璃，然后采用PECVD技术在正面镀氮化硅减反射膜；再在非镀膜面采用丝网印刷技术印刷背电极和背电场，然后在镀膜面印刷银浆种子层，进行烧结；最后采用LIP技术在种子层上制备电池电极。通过丝网印刷银浆作为该电极种子层然后进行电镀。使得银浆使用量降低了0.05g，比丝网印刷技术银浆使用成本降低，电池转换率得到提高，本发明所述太阳电池光诱导电镀方法操作简单，易于推广。

C N 1 0 5 6 3 3 1 9 5 A CN 105633195 A

权 利 要 求 书

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1.一种太阳电池光诱导电镀方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）采用单晶硅对其表面碱腐蚀，制绒同时去掉表面损伤层，再进行磷扩散；（2）扩散后，采用湿化学法去除硅片表面的磷硅玻璃，然后采用PECVD技术在正面镀氮化硅减反射膜；

（3）再在非镀膜面采用丝网印刷技术印刷背电极和背电场，然后在镀膜面印刷银浆种子层，进行烧结；

（4）最后采用LIP技术在种子层上制备电池电极。

2.如权利要求1所述的一种太阳电池光诱导电镀方法，其特征在于所述步骤（1）中采用单晶硅片的规格为156mm×l56mm的P型，电阻率为l～3 Ω·cm，厚约200±20μm。

3.如权利要求1所述的一种太阳电池光诱导电镀方法，其特征在于所述步骤（3）中采用的印刷丝网版参数为90线，设计线宽45μm，网版膜厚16 μm，3条主电极，主电极宽1.5mm。

4.如权利要求1所述的一种太阳电池光诱导电镀方法，其特征在于所述步骤（2）中减反射膜为硅片p-n结面镀80 am厚的减反射膜。

5.如权利要求1所述的一种太阳电池光诱导电镀方法，其特征在于所述步骤（3）中种子层银浆湿重使用量为0.06g。

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说 明 书

一种太阳电池光诱导电镀方法

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技术领域

[0001]

本发明属于光伏产业制备领域，尤其涉及一种太阳电池光诱导电镀方法。

背景技术

随着能源危机的日益突出，对于清洁能源的使用越来越多，对其的科研投入也在逐步增大。太阳能发电成为最具发展的研究领域。太阳电池的研制和开发进展神速，其中晶体硅太阳电池制造技术最为成熟，已经实现大规模的生产及应用。近年来，高效晶体硅电池取得巨大成就，使光伏产业在未来发展中的地位和前景更为乐观。就目前的技术水平而言，传统的丝网印刷技术细栅线的高宽比难以有效提高。

[0002]

发明内容

[0003] 本发明旨在解决上述问题，提供一种太阳电池光诱导电镀方法。[0004] 一种太阳电池光诱导电镀方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）采用单晶硅对其表面碱腐蚀，制绒同时去掉表面损伤层，再进行磷扩散；（2）扩散后，采用湿化学法去除硅片表面的磷硅玻璃，然后采用PECVD技术在正面镀氮化硅减反射膜；

（3）再在非镀膜面采用丝网印刷技术印刷背电极和背电场，然后在镀膜面印刷银浆种子层，进行烧结；

（4）最后采用LIP技术在种子层上制备电池电极。[0005] 本发明所述的一种太阳电池光诱导电镀方法，其特征在于所述步骤（1）中采用单晶硅片的规格为156mm×l56mm的P型，电阻率为l～3 Ω·cm，厚约200±20μm。[0006] 本发明所述的一种太阳电池光诱导电镀方法，其特征在于所述步骤（3）中采用的印刷丝网版参数为90线，设计线宽45μm，网版膜厚16 μm，3条主电极，主电极宽1.5mm。[0007] 本发明所述的一种太阳电池光诱导电镀方法，其特征在于所述步骤（2）中减反射膜为硅片p-n结面镀80 am厚的减反射膜。

[0008] 本发明所述的一种太阳电池光诱导电镀方法，其特征在于所述步骤（3）中种子层银浆湿重使用量为0.06g。

[0009] 本发明所述太阳电池光诱导电镀方法，通过丝网印刷银浆作为该电极种子层然后进行电镀。使得银浆使用量降低了0.05g，比丝网印刷技术银浆使用成本降低，电池转换率得到提高，本发明所述太阳电池光诱导电镀方法操作简单，易于推广。具体实施方式

[0010] 一种太阳电池光诱导电镀方法，包括如下步骤：

（1）采用单晶硅对其表面碱腐蚀，制绒同时去掉表面损伤层，再进行磷扩散；（2）扩散后，采用湿化学法去除硅片表面的磷硅玻璃，然后采用PECVD技术在正面镀氮化硅减反射膜；

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说 明 书

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（3）再在非镀膜面采用丝网印刷技术印刷背电极和背电场，然后在镀膜面印刷银浆种子层，进行烧结；

（4）最后采用LIP技术在种子层上制备电池电极。[0011] 本发明所述的一种太阳电池光诱导电镀方法，所述步骤（1）中采用单晶硅片的规格为156mm×l56mm的P型，电阻率为l～3 Ω·cm，厚约200±20μm。所述步骤（3）中采用的印刷丝网版参数为90线，设计线宽45μm，网版膜厚16 μm，3条主电极，主电极宽1.5mm。在丝网印刷工艺中我们设计了45 I．tm线宽的网版，经过印刷烧结后栅线宽度在100～110 gm。在LIP技术中种子层采用40 gm线宽的网版，由于控制了印刷过程中银浆使用量，使栅线塌陷宽度降低，烧结后栅线宽度在75～80 gm，LIP工艺以后总体栅线宽度在85～90 um。从电镀前后栅线的扩展情况来看，电镀的银较好地集聚在种子层上，没有引起过多外延，且有效降低电池表面遮光率。所述步骤（2）中减反射膜为硅片p-n的结面镀80 am厚的减反射膜。电极主要用来收集电池p-n结在光照条件下产生的光生电流。而在实际情况中，由于正面电极附着在电池的正面，因此在受光照隋况下，电池表面会有一部分光被正电极遮蔽掉瞪。同时，由于正电极栅线很细，导致截面积较小，电阻率会增大，因此，在电极制作中要求将电极制作的又高又细，通常采用高宽比来衡量。所述步骤（3）中种子层银浆湿重使用量为0.06g。

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