专利名称：氮化物半导体装置及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：齐藤泰伸,藤本英俊,大野哲也,吉冈启,斋藤涉申请号：CN201110254450.X申请日：20110831公开号：CN102623494A公开日：20120801
摘要：一种氮化物半导体装置，具备第一半导体层、第二半导体层、GaN的第三半导体层、第四半导体层、第一电极、第二电极和第三电极。第一半导体层包括氮化物半导体。第二半导体层在第一半导体层上设置，具有第一半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，包括氮化物半导体。第三半导体层在第二半导体层上设置。第四半导体层在第三半导体层上设置成在一部分具有间隙，具有第二半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，包括氮化物半导体。第一电极在第三半导体层上设置于没有设置第四半导体层的部分。第二电极在第四半导体层上设置于第一电极的一侧，与第四半导体层欧姆接合。第三电极在第四半导体层上设置于第一电极的另一侧，与第四半导体层欧姆接合。
申请人：株式会社东芝
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：徐殿军
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