专利名称：OTP器件（五）专利类型：发明专利发明人：徐向明,胡晓明申请号：CN200310109233.7申请日：20031210公开号：CN1627526A公开日：20050615
摘要：本发明公开了一种OTP器件，将电容型晶体管直接做在衬底上。采用这样的结构，使本发明在普通逻辑工艺中，不追加任何光刻及工艺步骤的情况下，即可达到内藏高密度，高性能OTP器件的目的。本发明利用Native(本征)MOS电容结构的OTP器件不仅能大大缩小版图面积，同时达到提高耐压和提高有效电容效率等功效。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201206 上海市浦东川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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