专利名称：羰基钼的合成方法专利类型：发明专利
发明人：齐彦兴,张霞,蔺红桃,杨敏,陈小亚,李红玲,杨军,曹洲
宏,朱秉泰
申请号：CN201110343133.5申请日：20111103公开号：CN103086434A公开日：20130508
摘要：本发明公开了一种羰基钼的合成方法。将粗钼粉置于反应器中，通入含有氨气和氢气的一氧化碳气体，控制反应压力为15.0-26.0MPa、温度150-280℃进行反应；反应结束后收集含有羰基钼的混合液，通过常规分离，收集得到羰基钼。本发明与现有技术相比具有原料廉价易得、来源广泛，羰化效率高的优点。
申请人：中国科学院兰州化学物理研究所
地址：730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号
国籍：CN
代理机构：兰州中科华西专利代理有限公司
代理人：方晓佳
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