专利名称：半导体制造装置及半导体制造方法专利类型：发明专利发明人：申平洙,金秉勳申请号：CN201210476350.6申请日：20121121公开号：CN103137468A公开日：20130605
摘要：本发明提供一种半导体制造装置及半导体制造方法，能够在蚀刻工艺进行时，提高氮化膜的蚀刻选择比。在本发明的半导体制造装置中，在工艺腔室的外部由被供给的二氟甲烷CHF、氮气N以及氧气O气体产生等离子体，将产生的等离子体供给到工艺腔室内。在将等离子体供给工艺腔室的途中，供给三氟化氮NF。利用这种装置构造及源气体蚀刻氮化硅膜的情况下，能够使氮化硅膜相对于其他种类膜的蚀刻选择比大幅度地增加。
申请人：PSK有限公司
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京品源专利代理有限公司
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