航天772所2005年半导体物理考试试题

2005年招收攻读硕士学位研究生入学考试

半导体物理试题

（注意：本试题答案必须全部写在答题纸上，写在试题纸和草稿纸上均无效）

一、 简述以下术语的物理定义及特点（每题10分，共40分）

1、欧姆接触和肖特基接触；

2、非平衡载流子和热载流子；

3、平带电压和阈值电压（对MOS电容而言）；

4、简并与非简并半导体。

二、 简答题（每题12分，共60分）

1、 简述P-N结电容的来源，试述PN结击穿的机理。

2、 简述表面态对于MOS场效应晶体管的影响。

3、 以Si中掺杂为例，举例说明掺入浅能级和深能级杂质的目的和作用。

第 1 页 共 3 页

4、 试画出硅电阻率和温度的关系，并简要说明之。

5、 迁移率和扩散系数分别反映什么物理过程，它们的单位是什么？试证明爱因斯坦关系。

三、 计算与证明题（第一题15分，第二题35分，共50分）

1、试证明P-N结的接触电势差VD(

第 2 页 共 3 页

K0Tq)*ln(NDNAni2)

2、室温下硅样品，掺入浓度为1.41016cm3的磷原子和91015cm3的硼原子，求

a、热平衡态下的多子、少子浓度，费米能级位置（以Ei为参考点）； b、样品的电导率；

c、在光照条件下产生n＝p＝31013的非平衡载流子，求光注入下的准费米能级EF和EF（以Ei为参考点）；

d、光注入时，样品的电导率；

e、画出平衡态下和光注入条件下的能带图，标出EC、Ev、EF、Ei和EF、

pnpEF等能级的位置，简要说明EF、EF偏离EF程度不同的原因。

2（已知硅电子迁移率n1300cm2/Vs，空穴迁移率p500cmVs，

nPnK01.381023J）室温下，K0T0.026ev，硅的ni1.51010cm3）

K第 3 页 共 3 页