专利名称：一种片式压敏电阻芯片制备方法专利类型：发明专利
发明人：祝惠宇,祝学昌,祝靖宇申请号：CN201910449001.7申请日：20190528公开号：CN110310792A公开日：20191008
摘要：本发明公开了一种片式压敏电阻芯片制备方法，包括步骤一：依据小样测定的电压梯度选择配方，并采用干粉压制工艺压制得到陶瓷生坯体；步骤二：将陶瓷生坯体经550℃～650℃排胶后进行烧结，烧结温度为1100℃～1150℃，烧制时间为24～48h，得到坯锭；步骤三：根据需要目标电压，将坯锭切成指定厚度基片；步骤四：对基片涂覆Ag或Ag‑pb形成电极；步骤五：根据通流要求，将步骤四中的基片切成符合通流要求的芯片；步骤六：对芯片涂覆导电介质，与框架相连塑封成成品。
申请人：无锡市开元电子有限公司
地址：214112 江苏省无锡市新吴区新锡路207号
国籍：CN
代理机构：南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人：颜盈静
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