专利名称：贴合SOI晶片的制造方法专利类型：发明专利
发明人：小林德弘,阿贺浩司,横川功,石塚徹,加藤正弘申请号：CN201280065462.0申请日：20121130公开号：CN104025254A公开日：20140903
摘要：本发明是一种制造SOI晶片的方法，该方法具有对于剥离后的贴合SOI晶片，进行第一快速热退火处理之后进行第一牺牲氧化处理，其后，进行第二快速热退火处理之后进行第二牺牲氧化处理的工序，在含有氢气的气氛下以1100℃以上的温度进行上述第一和第二快速热退火处理，在上述第一和第二牺牲氧化处理中，通过以900℃以上且1000℃以下的温度仅进行利用分批式热处理炉的热氧化而在上述SOI层表面形成热氧化膜之后，进行去除该热氧化膜的处理，从而制造贴合SOI晶片。由此，提供一种能够制造具有所期望的膜厚和优良的膜厚分布的SOI层的贴合SOI晶片的方法，该方法在利用离子注入剥离法的贴合SOI晶片的制造中，能够改进剥离后的SOI层的表面粗糙度，并且能够抑制滑移位错和缺陷的发生。
申请人：信越半导体株式会社
地址：日本东京都千代田区大手町二丁目6番2号
国籍：JP
代理机构：北京冠和权律师事务所
代理人：朱健
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