专利名称：制造半导体双极器件的方法专利类型：发明专利
发明人：徐嘉东,李建明,张秀兰申请号：CN200410007873.1申请日：20040303公开号：CN1664999A公开日：20050907
摘要：本发明涉及一种半导体电路器件结构，特别是一种制造半导体双极器件的方法，该方法包括如下步骤：1)取一半导体材料；2)向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的P型导电埋层区域；3)退火。
申请人：中国科学院半导体研究所
地址：100083 北京市海淀区清华东路甲35号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汤保平
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