专利名称：压力传感器芯片专利类型：发明专利发明人：濑户祐希
申请号：CN201580012617.8申请日：20150304公开号：CN106104244A公开日：20161109
摘要：本发明的压力传感器芯片中，在阻挡构件（11‑2）的内部的与传感器隔膜（11‑1）的受压面平行的面（PL）的一部分，设置与导压孔（11‑2b）的周部连通的非接合区域（SA），以及与非接合区域（SA）连续的环状的槽（11‑2d）。该环状的槽（11‑2d）的、向夹着包含阻挡构件
（11‑2d）的非接合区域（SA）的平面而与传感器隔膜（11‑1）相反的一侧挖入的第1槽（11‑2d1）的剖面形状包含半圆以上的圆弧，向另一侧挖入的第2槽（11‑2d2）的剖面形状包含半圆以下的圆弧。使第2槽（11‑2d2）相对于第1槽（11‑2d1）向导压孔（11‑2b）侧错开。使槽（11‑2d1）与槽（11‑2d1）相互对置的圆弧的端部错开。由此，能够防止向隔膜边缘的应力集中，确保所期待的耐压。
申请人：阿自倍尔株式会社
地址：日本东京都千代田区丸之内2丁目7番3号东京大楼
国籍：JP
代理机构：上海华诚知识产权代理有限公司
代理人：肖华
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