【篇一：典型模拟电子电路设计与分析】
院模拟电子技术设计报告
课程名称：典型模拟电子电路设计与实践 设计内容： 典型555延时电路 实验时间：2012/2013第二学期 实验地点： 课外
专业班级： 电气113 姓 名：
学 号： 2011013703 指导老师： 陈丹江 2013年 6月10 日 一、555芯片：
555集成电路开始是作定时器应用的，所以叫做555定时器或555时基电路。但后来经过开发，它除了作定时延时控制外，还可用于调光、调温、调压、调速等多种控制及计量检测。此外，还可以组成脉冲振荡、单稳、双稳和脉冲调制电路，用于交流信号源、电源变换、频率变换、脉冲调制等。由于它工作可靠、使用方便、价格低廉，目前被广泛用于各种电子产品中，555集成电路内部有几十个元器件，有分压器、比较器、基本r-s触发器、放电管以及缓冲器等，电路比较复杂，是模拟电路和数字电路的混合体 。 555内部原理图
二、（1）555延时电路：
电路工作原理分析：全电路由声控信号输入及放大电路与延时控制电路组成。
电路中,vt1、vt2与r1及压电陶瓷片组成声控信号输入与放大电路。当压电陶瓷接收到一定强度的声信号后，他会将其转变为微弱的电信号，这一电信号加至vt1的基极，由vt1进行放大。由vt1放大后的信号经c1耦合至vt2，进行进一步的放大。当压电陶瓷接收到的声信号足够强时，经过两级晶体管放大电路的放大，就会在vt2 的集电极输出幅度较
大的脉冲信号。当信号的脉冲下降沿到来时，由555组成的单稳态电路就会被触发，发光二极管发光。
555与r4、c2组成单稳态电路，一方面输出触发信号，使发光二极管发光；另一方面组成延时控制电路，当到达预定的时间后输出控制信号使发光二极管熄灭。
如果要控制大功率设备，可以在发光二极管前加一三极管，驱动继电器，或直接驱动可控硅。
（2）555延时电路的另一种形式：
如果把555内部展开，并简化外围电路，则可按如图所示，搭建电路：
1、延时电路用及的外围元器件：
四个定值电阻：r1、r2、r4、r5；一个可调电阻r3；三个电容c1、c2、c3；一个按键；一个二极管led（一般正常工作在1～10ma中），一个555芯片。 r1=20k?；r2=47k?；r4=20k?；r5=470?；c1=220?f；c2=0.01?f；c3=1000?f
（1）接通电源后①假设q输出为“0”，三极管d截止，5脚电压为2/3vcc，2脚电压为vcc，所以r输出为“0”，s输出为“1”此时q输出为“1”与假设的不相符，所以假设的的不成立。②假设q输出为“1”，三极管d导通，5脚电压为2/3 vcc，2脚电压为vcc。6脚电压为0，所以r输出为“1”，s输出为“1”q保持原来状态不变，所以假设成立，此时3脚输出“0”，led灯不亮。
（2）当按下按键k时，电容c3接地导致电容的电压下降，电容电压的下降导致2脚电压下降到小于1/3 vcc，此时s输出为“0”，r输出为“1”，所以q输出为“1”3脚输出为“1”led灯被点亮，三极管d截止，此时电源给c1充电，导致6脚电压慢慢上升，经过
t=(r2+r3)c1*ln3时间后上升到大于2/3 vcc时，r输出为“0”，此时q输出为“1”3脚输出为“0”，led灯熄灭，三极管d导通，此时6脚电压又下降到0，r输出为“1”，因为按键已经松开，2脚电压为 vcc，此时s输出为“1”q保持原来状态不变，所以继续保持led灯不亮。 总结：接通电源后led灯不亮，按一下按键后led灯亮几秒后熄灭，不按按键时灯不亮。
2延时电路的计算及参数调整: uc=vcc[1-e ?t
(r2?r3)c1?t(r2?r3)c1]=2/3vcc =ln(1/3) ?e ?t=(r2+r3)c1*ln3 ?t=(47000+r3)*1.1
通过改变r3的阻值，来改变时间的长短，r3的越大时间越长。 三、总结
555芯片功能强大，因此在很多方面都能看到它的应用，但在使用时却只需要搭建简单的外围电路，如延时电路，也正因为外围电路的简洁，因此所使用的外围电路也要求有较好的精度和稳定性。
【篇二：专升本《cmos模拟集成电路分析与设计》_试
卷_答案】
class=txt>9. 镜像电流源一般要求相同的（）。 （2分）
a.制造工艺b.器件宽长比 c.器件宽度w d.器件长度l标准答案：d 一、 （共75题,共150分）
1. gordon moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番 （2分） a.12b.18c.20d.24 标准答案：b
2. mos管的小信号输出电阻是由mos管的（）效应产生的。 （2分） 10. 某一恒流源电流镜如图所示。忽略m3 的体效应。要使和
严格相等，应取为（）。
a.体b.衬偏 c.沟长调制d.亚阈值导通 标准答案：c
3. 在cmos模拟集成电路设计中，我们一般让mos管工作在（）区。a.亚阈值区b.深三极管区 c.三极管区d.饱和区标准答案：d 4. mos管一旦出现（）现象，此时的mos管将进入饱和区。 （2分）a.夹断 b.反型 c.导电 d.耗尽 标准答案：a 5. （）表征了mos器件的灵敏度。 （ 2分） a. b. c.
d. 标准答案：c
6. cascode放大器中两个相同的nmos管具有不相同的（）。 （ 2分）a. b. c.
d. 标准答案：b
7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。 （2分） a.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 b.负载不匹配 c.输入mos不匹配 d.电路制造中的误差 标准答案：c
8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。 （2分） a.二极管负载差分放大器 b.电流源负载差分放大器 c.有源电流镜差分放大器
d.cascode负载casocde差分放大器 标准答案：c 2分） （ 2分） a. b. c. d.
标准答案：a
11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。 （2分） a.共源级放大器 b.源级跟随器 c.共栅级放大器 d.共源共栅级放大器 标准答案：a
12. 下图中，其中电压放大器的增益为
-a，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输入 电阻为（）。 （ 2分） a.
b. c.
d. 标准答案：a
13. 对电路进行直流工作点分析的hspice命令是（）。 （2分） a.dcb.acc.opd.ic 标准答案：c
14. 模拟集成电路设计中的第一步是（）。 （2分） （
a.电路设计 b.版图设计c.规格定义 d.电路结构选择 标准答案：c 15. （）可提高图中放大器的增益。 a. 减小
，减小 b.增大 ，增大 c. 增大 ，减小 d. 减小
，增大 标准答案：a
16. 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。 （2分） a.增益 b.输出电阻c.输出摆幅d.输入电阻 标准答案：c
17. 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是（）。 （2分） a.增益 b.电压净空c.输出摆幅d.输入偏置 标准答案：a
18. 在nmos
中，若会使阈值电压（） （2分） a.增大 b.不变 c.减小 d.可大可小 标准答案：a
19. nmos管中，如果vb变得更负，则耗尽层（）。 （2分） a.不变 b.变得更窄c.变得更宽d.几乎不变 标准答案：c
20. 随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（） （2分）a.不断提高b.不变 c.可大可小d.不断降低 标准答案：d
21. mos管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。 （2分） a.电导 b.电阻 c.跨导 d.跨阻 标准答案：c
22. 工作在饱和区的mos管，可以被看作是一个（）。 （2分） 2分）
a.恒压源 b.电压控制电流源c.恒流源 d.电流控制电压源标准答案：b
23. 密勒效应最明显的放大器是（）。 （2分） a.共源极放大器 b.源极跟随器 c.共栅极放大器 d.共基极放大器 标准答案：a
24. 不能直接工作的共源极放大器是（）共源极放大器。 （2分） a.电阻负载 b.二极管连接负载
c.电流源负载d.二极管和电流源并联负载 标准答案：c
25. 模拟集成电路设计中的最后一步是（）。 （2分） a.电路设计 b.版图设计c.规格定义 d.电路结构选择 标准答案：b
26. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的ic在功耗方面具有最大的优势。 （2分） a.mos b.cmos c.bipolar d.bicmos标准答案：b
27. mos器件小信号模型中的gmb
是由mos管的（）效应引起。 （2分） a.二级 b.衬偏 c.沟长调制d.亚阈值导通 标准答案：b
28. pmos管的导电沟道中依靠（）导电。 （2分） a.电子 b.空穴 c.正电荷 d.负电荷标准答案：b
29. 当mos管的宽长比是定值时，其跨导与漏源电流的关系曲线是（）。 a
b c d （2分）
a.见图 b.见图 c.见图 d.见图 标准答案：d
30. 如果mos管的栅源过驱动电压给定，l越（），输出电流越理想。 （2分） a.大b.小c.近似于w d.精确 标准答案：a
31. mos电容中对电容值贡献最大的是（）。 （2分） a.cgs b.cgd c. cdb （ d.c sb
标准答案：a
32. 下面几种电路中增益线性度最好的是（）。 （2分） a.电阻负载共源级放大器 b.电流源负载共源级放大器 c.二极管负载共源级放大器d.源极负反馈共源级放大器 标准答案：c
33. 电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（）。 （2分） a.增大器件宽长比 b.增大负载电阻
c.降低输入信号直流电平 d.增大器件的沟道长度l 标准答案：d 34. 电阻负载共源级放大器中，让输入信号从vdd下降，nmos管首先进入（）区。 （2分） a.亚阈值区b.深三极管区 c.三极管区d.饱和区标准答案：b
35. 下图的共源共栅放大器中，选择合适的偏置电压vb，让输入电压vin从0逐渐增加，则先从饱
和区进入线性区的mos管是（）。 （2分）
a.m1 b.m2
c.两个同时进入 d.都有可能标准答案：d 36. 下面放大器的小信号增益为（）。 （2分） a.
?gmro ?
gmro b.
1?gmrs c.1
d.理论上无穷大 标准答案：a
37. 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。 （2分） a.为放大器管提供固定偏置b.为放大管提供电流通路
c.减小放大器的共模增益 d.提高放大器的增益 标准答案：d 38. 下图电流镜的输出电压最小值为（）。 （2分）
a.2vod?2vth b.2vod?vth c.
2vod d.2vod
?2vgs 标准答案：c
39. 下图中，其中电压放大器的增益为-a，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输出 电阻为（）。 （2分） ra.1?a r1?b. c.
r?1?a? d. r?1?a?
标准答案：b 标准答案：b
48. 为了让mos管对外表现出受控电流源的特性，我们通常让其工作在（）区。 （2分） 40. （）可提高图中放大器的增益。 （2分）
??w?a.减小 ?l??1,2 b.仅增大 l1,2
??w?c.增大 ?l??1,2
d.仅减小w1,2 标准答案：c
41. mos管的端电压变化时，源极和漏极（）互换。 （2分） a.能 b.不能
c.不知道能不能 d.在特殊的极限情况下能标准答案：a
42. cmos工艺里不容易加工的器件为（）。 （2分） a.电阻 b.电容 c.电感 d.mos管 标准答案：c
43. mos管的特征尺寸通常是指（）。 （2分） a.w b.l c.w/l d.tox标准答案：b
44. mos管从不导通到导通过程中，最先出现的是（）。 （2分） a.反型 b.夹断 c.耗尽 d.导通 标准答案：c
45. 源极跟随器通常不能用作（）。 （2分）
a.缓冲器 b.放大器 c.电平移动d.驱动器标准答案：b
46. 能较大范围提高阈值电压的方法是（）。 （2分） a.增大mos管尺寸b.提高过驱动电压
c.制造时向沟道区域注入杂质 d.增大衬底偏置效应 标准答案：c a.截止 b.三极管 c.线性 d.饱和 标准答案：d 49. mos管中最大的电容是（）。 （2分）
a.氧化层电容 b.耗尽层电容 c.交叠电容d.结电容标准答案：a
50. mos器件小信号模型中的是由mos管的（）效应引起。 （2分） a.体b.衬偏 c.沟长调制d.亚阈值导通 标准答案：c
51. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的ic最容易实现尺寸的按比例缩小。a.mos b.cmos c.bipolar d.bicmos标准答案：b
52. （）在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每18个月翻一番 （2分） a.比尔盖茨b.摩尔 c.乔布斯 d.贝尔 标准答案：b
53. 最常见的集成电路通常采用（）工艺制造。 （2分） a.mos b.cmos c.bipolar d.bicmos标准答案：b
54. 工作在（）区的mos管，可以被看作为电流源。 （2分） a.截止 b.三极管 c.深三极管d.饱和 标准答案：d
55. 工作在（）区的mos管，其跨导是恒定值。 （2分） a.截止 b.三极管 c.深三极管d.饱和 标准答案：d
56. 载流子沟道就在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。 （2分） a.夹断层 b.反型层 c.导电层 d.耗尽层标准答案：b
57. 形成（）的栅源电压叫阈值电压（）。 （2分） a.夹断层 b.反型层 c.导电层 d.耗尽层标准答案：b
58. nmos管中，如果vbs变得更小，则耗尽层（）。 （2分） a.不变 b.变得更窄c.变得更宽d.几乎不变 标准答案：c
59. nmos管的导电沟道中依靠（）导电。 （2分） a.电子 b.空穴 c.正电荷 d.负电荷标准答案：a 2分） （
60. 当mos管的宽长比是定值时，其跨导与过驱动电源的关系曲线是（）。 a
b c d （2分）
a.见图 b.见图 c.见图 d.见图 标准答案：c
61. mos管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义（）来表示电压转换电流的能力。 （269. 下面电路的差模小信号增益为（）。 （2分）
?gm1rd ?gm1ro4a. 分）
a.跨导 b.受控电流源 c.跨阻 d.小信号增益 标准答案：a 62.
为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，值（） （2分） a.较大 b.较小 c.不变 d.不定 标准答案：b
63. 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗（）。 （2分） a.低b.一般 c.高d.很高 标准答案：d
64. nmos管中，对阈值电压影响最大的是（）。 （2分） a.vbs b.vgs c.vds d.w/l标准答案：a
65. cascode放大器中两个尺寸相同的nmos具有相同的（）效应。 （2分） a.沟长调制b.体c.背栅 d.衬底偏置 标准答案：a
66. 小信号输出电阻相对最小的放大器是（）。 （2分） a.共源级放大器 b.源级跟随器 c.共栅级放大器 d.共源共栅级放大器 标准答案：b
67. 差分放大器中，共模输入电平的变化不会引起差动输出的改变的因素是（）。a.尾电流源输出阻抗为有限值 b.输入mos管不完全对称 c.负载不完全对称 d.输入对管工作在饱和区标准答案：d
68. 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。 （2分） a.为放大器管提供固定偏置b.为放大管提供电流通路c.减小放大器的共模增益 d.提高放大器的增益 标准答案：d 2分） b. c.
??gm1||gm2??ro4||ro2? d. ?g m1?r
o4||ro2?
标准答案：d
70. 某一恒流源电流镜如图所示。忽略m3的体效应。若让m2管工作在饱和区边缘， vb应取为 （）。 （2分）
a.2vod?2vth b.2vod?vth c.
2vod d.2vod ?2vgs
标准答案：b
71. 下图中，其中电压放大器的增益为-a，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输出 电阻为（）。 （2分） ra.1?a rb.
1?a （
【篇三：专升本《cmos模拟集成电路分析与设计》_试
卷_答案】
class=txt>一、 （共75题,共150分）
1. gordon moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番 （2分）
a.12b.18c.20d.24 .标准答案：b
2. mos管的小信号输出电阻是由mos管的（）效应产生的。 （2分） a.体b.衬偏 c.沟长调制d.亚阈值导通 .标准答案：c
3. 在cmos模拟集成电路设计中，我们一般让mos管工作在（）区。 （2分） a.亚阈值区b.深三极管区 c.三极管区d.饱和区.标准答案：d
4. mos管一旦出现（）现象，此时的mos管将进入饱和区。 （2分） a.夹断 b.反型 c.导电 d.耗尽 .标准答案：a
5. （）表征了mos器件的灵敏度。 （2分） a. b. c. d.
.标准答案：c
6. cascode放大器中两个相同的nmos管具有不相同的（）。 （2分） a. b. c. d.
.标准答案：b
7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。 （2分） a.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 b.负载不匹配 c.输入mos不匹配 d.电路制造中的误差 .标准答案：c
8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。 （2分） a.二极管负载差分放大器 b.电流源负载差分放大器 c.有源电流镜差分放大器
d.cascode负载casocde差分放大器 .标准答案：c 9. 镜像电流源一般要求相同的（）。 （2分）
a.制造工艺b.器件宽长比 c.器件宽度w d.器件长度l.标准答案：d 10. 某一恒流源电流镜如图所示。忽略m3的体效应。要使 和
严格相等， 应取为（）。 （2分） a. b. c.
d. .标准答案：a
11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。 （2分） a.共源级放大器 b.源级跟随器 c.共栅级放大器 d.共源共栅级放大器 .标准答案：a
12. 下图中，其中电压放大器的增益为-a，假定该放大器为理想放大器。请计算该
电路的等效输入电阻为（）。 （2分） a. b. c.
d. .标准答案：a
13. 对电路进行直流工作点分析的hspice命令是（）。 （2分） a.dcb.acc.opd.ic .标准答案：c
14. 模拟集成电路设计中的第一步是（）。 （2分） a.电路设计 b.版图设计c.规格定义 d.电路结构选择 .标准答案：c 15. （）可提高图中放大器的增益。 （2分） a.减小，减小 b. 增大，增大 c.增大 ，减小
d.减小，增大 .标准答案：a
16. 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。 （2分） a.增益 b.输出电阻c.输出摆幅d.输入电阻 .标准答案：c
17. 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是（）。 （2分） a.增益 b.电压净空c.输出摆幅d.输入偏置 .标准答案：a
18. 在nmos中，若会使阈值电压（） （2分） a.增大 b.不变 c.减小 d.可大可小 .标准答案：a
19. nmos管中，如果vb变得更负，则耗尽层（）。 （2分） a.不变 b.变得更窄c.变得更宽d.几乎不变 .标准答案：c
20. 随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（） （2分）
a.不断提高b.不变 c.可大可小d.不断降低 .标准答案：d
21. mos管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。 （2分） a.电导 b.电阻 c.跨导 d.跨阻 .标准答案：c
22. 工作在饱和区的mos管，可以被看作是一个（）。 （2分） a.恒压源 b.电压控制电流源c.恒流源 d.电流控制电压源.标准答案：b 23. 密勒效应最明显的放大器是（）。 （2分） a.共源极放大器 b.源极跟随器 c.共栅极放大器 d.共基极放大器 .标准答案：a
24. 不能直接工作的共源极放大器是（）共源极放大器。 （2分） a.电阻负载 b.二极管连接负载
c.电流源负载d.二极管和电流源并联负载 .标准答案：c
25. 模拟集成电路设计中的最后一步是（）。 （2分） a.电路设计 b.版图设计c.规格定义 d.电路结构选择 .标准答案：b
26. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的ic在功耗方面具有最大的优势。 （2分）
a.mos b.cmos c.bipolar d.bicmos.标准答案：b
27. mos器件小信号模型中的gmb是由mos管的（）效应引起。 （2分） a.二级 b.衬偏 c.沟长调制d.亚阈值导通 .标准答案：b
28. pmos管的导电沟道中依靠（）导电。 （2分） a.电子 b.空穴 c.正电荷 d.负电荷.标准答案：b
29. 当mos管的宽长比是定值时，其跨导与漏源电流的关系曲线是（）。 a
b c d （2分）
a.见图 b.见图 c.见图 d.见图 .标准答案：d
30. 如果mos管的栅源过驱动电压给定，l越（），输出电流越理想。 （2分） a.大b.小c.近似于w d.精确 .标准答案：a
31. mos电容中对电容值贡献最大的是（）。 （2分） a.cgs b.cgd c.cdb d.csb
.标准答案：a
32. 下面几种电路中增益线性度最好的是（）。 （2分） a.电阻负载共源级放大器 b.电流源负载共源级放大器 c.二极管负载共源级放大器d.源极负反馈共源级放大器 .标准答案：c
33. 电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（）。 （2分）
a.增大器件宽长比 b.增大负载电阻
c.降低输入信号直流电平 d.增大器件的沟道长度l .标准答案：d 34. 电阻负载共源级放大器中，让输入信号从vdd下降，nmos管首先进入（）区。 （2分）
a.亚阈值区b.深三极管区 c.三极管区d.饱和区.标准答案：b
35. 下图的共源共栅放大器中，选择合适的偏置电压vb，让输入电压vin从0逐
渐增加，则先从饱和区进入线性区的mos管是（）。 （2分）
a.m1 b.m2
c.两个同时进入 d.都有可能.标准答案：d 36. 下面放大器的小信号增益为（）。 （2分） a. ?gmro ?
gmro
b. 1?gmrs c.1
d.理论上无穷大 .标准答案：a
37. 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。 （2分） a.为放大器管提供固定偏置b.为放大管提供电流通路c.减小放大器的共模增益 d.提高放大器的增益 .标准答案：d 38. 下图电流镜的输出电压最小值为（）。 a.2vod?2vth （2分）
40. （）可提高图中放大器的增益。 （2
b.2vod?vth c.2vod d.2vod?2vgs .标准答案：c
39. 下图中，其中电压放大器的增益为-a，假定该放大器为理想放大器。请计算该
电路的等效输出电阻为（）。 （2分） ra.1?a rb.
1?a c.r?1?a? d.
r?1?a?
.标准答案：b 分） ??w??a.减小?l ?1,2
b.仅增大l 1,2
??w??c.增大?l ?1,2
d.仅减小w
1,2 .标准答案：c
41. mos管的端电压变化时，源极和漏极（）互换。 （2分） a.能 b.不能
c.不知道能不能 d.在特殊的极限情况下能.标准答案：a
42. cmos工艺里不容易加工的器件为（）。 （2分） a.电阻 b.电容 c.电感 d.mos管 .标准答案：c
43. mos管的特征尺寸通常是指（）。 （2分） a.w b.l c.w/l d.tox.标准答案：b
44. mos管从不导通到导通过程中，最先出现的是（）。 （2分） a.反型 b.夹断 c.耗尽 d.导通 .标准答案：c
45. 源极跟随器通常不能用作（）。 （2分）
a.缓冲器 b.放大器 c.电平移动d.驱动器.标准答案：b 46. 能较大范围提高阈值电压的方法是（）。 （2分） a.增大mos管尺寸b.提高过驱动电压
c.制造时向沟道区域注入杂质 d.增大衬底偏置效应 .标准答案：c 47. pmos管导电，依靠的是沟道中的（）。 （2分） a.电子 b.空穴 c.电荷 d.电子空穴对 .标准答案：b
48. 为了让mos管对外表现出受控电流源的特性，我们通常让其工作在（）区。 （2分）
a.截止 b.三极管 c.线性 d.饱和 .标准答案：d 49. mos管中最大的电容是（）。 （2分）
a.氧化层电容 b.耗尽层电容 c.交叠电容d.结电容.标准答案：a
50. mos器件小信号模型中的是由mos管的（）效应引起。 （2分） a.体b.衬偏 c.沟长调制d.亚阈值导通 .标准答案：c
51. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的ic最容易实现尺寸的按比例缩小。 （2分）
a.mos b.cmos c.bipolar d.bicmos.标准答案：b
52. （）在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每18个月翻一番 （2分） a.比尔盖茨b.摩尔 c.乔布斯 d.贝尔 .标准答案：b 53. 最常见的集成电路通常采用（）工艺制造。 （2分） a.mos b.cmos c.bipolar d.bicmos.标准答案：b
54. 工作在（）区的mos管，可以被看作为电流源。 （2分） a.截止 b.三极管 c.深三极管d.饱和 .标准答案：d
55. 工作在（）区的mos管，其跨导是恒定值。 （2分） a.截止 b.三极管 c.深三极管d.饱和 .标准答案：d
56. 载流子沟道就在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。 （2分）
a.夹断层 b.反型层 c.导电层 d.耗尽层.标准答案：b
57. 形成（）的栅源电压叫阈值电压（）。 （2分） a.夹断层 b.反型层 c.导电层 d.耗尽层.标准答案：b
58. nmos管中，如果vbs变得更小，则耗尽层（）。 （2分） a.不变 b.变得更窄c.变得更宽d.几乎不变 .标准答案：c
59. nmos管的导电沟道中依靠（）导电。 （2分） a.电子 b.空穴 c.正电荷 d.负电荷.标准答案：a
60. 当mos管的宽长比是定值时，其跨导与过驱动电源的关系曲线是（）。 a
b c d （2分）
a.见图 b.见图 c.见图 d.见图 .标准答案：c
61. mos管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义（）来表示电压转换电流的能力。 （2分）
a.跨导 b.受控电流源 c.跨阻 d.小信号增益 .标准答案：a
62. 为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，值（） （2分） a.较大 b.较小 c.不变 d.不定 .标准答案：b
63. 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗（）。 （2分） a.低b.一般 c.高d.很高 .标准答案：d
64. nmos管中，对阈值电压影响最大的是（）。 （2分） a.vbs b.vgs c.vds d.w/l.标准答案：a
65. cascode放大器中两个尺寸相同的nmos具有相同的（）效应。 （2分）
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