专利名称：集成电路及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：丁天佑,林梦嘉,杨进盛申请号：CN201110277674.2申请日：20110919公开号：CN102992258A公开日：20130327
摘要：本发明公开一种集成电路及其制造方法，该制造方法包括提供具有微机电系统区的基底，且基底的微机电系统区上方形成有第一内连线结构以及硬掩模层，其中硬掩模层是位于第一内连线结构上。接下来，以硬掩模层为掩模，进行各向异性蚀刻工艺，以移除硬掩模层所暴露出的部分第一内连线结构，进而形成微机电结构，其中微机电结构是暴露出微机电系统区的部分基底。之后，进行各向同性蚀刻，以移除微机电系统区的部分基底，而在微机电结构下方形成腔体。该腔体包括环状凹陷区以及中央区，且环状凹陷区环绕于中央区外围，而微机电结构悬于该腔体上方。
申请人：联华电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：彭久云
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