专利名称：磁隧道结及其形成方法、磁存储器专利类型：发明专利
发明人：赵巍胜,彭守仲,芦家琪,熊丹荣申请号：CN202010084400.0申请日：20200210公开号：CN111261772A公开日：20200609
摘要：本发明提供一种磁隧道结及其形成方法、磁存储器，该磁隧道结从下到上依次包括：第一铁磁层、氧化物势垒层、第二铁磁层以及第一体磁各向异性铁磁层；所述第二铁磁层和所述第一体磁各向异性铁磁层作为所述磁隧道结的自由层；所述第一铁磁层作为所述磁隧道结的参考层；其中，所述第一体磁各向异性铁磁层由体垂直磁各向异性的铁磁材料形成。其中，通过在第二铁磁层上设置由体垂直磁各向异性的铁磁材料形成的第一体磁各向异性铁磁层，第一体磁各向异性铁磁层与第二铁磁层实现层间耦合，提高了磁隧道结的体垂直磁各向异性常数，使得磁隧道结具有强垂直磁各向异性和高热稳定性，当磁隧道结尺寸较小时，热稳定性依然能够得到保障。
申请人：北京航空航天大学
地址：100191 北京市海淀区学院路37号
国籍：CN
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
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