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一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法

2023-03-07 来源:榕意旅游网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN201810553667.2 (22)申请日 2018.06.01

(71)申请人 界首市静峰新型建材有限公司

地址 236500 安徽省阜阳市界首市靳寨乡冢杨村北侧

(10)申请公布号 CN108484210A

(43)申请公布日 2018.09.04

(72)发明人 肖克生

(74)专利代理机构 合肥广源知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人 宋宇晴

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法

(57)摘要

本发明公开了一种孔隙率高的碳化硅多孔

陶瓷制备方法,其特征在于,用硅树脂对莫来石和丝瓜络进行改性,其三维网状结构会将莫来石颗粒和丝瓜络管状纤维包覆在其中,形成互相穿插的三维结构,当温度高于600℃时,硅树脂主链发生降解形成SiO

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态

法律状态公告日

2018-09-04 2018-09-04 2018-09-28

公开 公开

法律状态信息

公开 公开

法律状态

实质审查的生效 实质审查的生效

权利要求说明书

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说明书

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