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利用神经网络为射频LDMOS热效应建模的方法[发明专利]

2024-04-22 来源:榕意旅游网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:利用神经网络为射频LDMOS热效应建模的方法专利类型:发明专利发明人:姜一波,毕卉

申请号:CN201910870860.3申请日:20190916公开号:CN110688810A公开日:20200114

摘要:本发明提供了一种利用神经网络为射频LDMOS热效应建模的方法,包括:S1,获取反映射频LDMOS热效应特征的特定数据集,并将特定数据集分为训练集和测试集;S2,由训练集中的数据组成输入向量并分批输入神经网络;S3,获得相应输出向量并输入热电等效模型;S4,根据输出向量获得射频LDMOS的输出参数;S5,获取真实值,并根据真实值和输出参数计算两者间的误差;S6,判断误差是否小于规定值,若误差不小于规定值,则根据误差更新神经网络的模型参数,并重复步骤S2-S5,直至误差小于规定值或训练集中的数据均输入神经网络,以获得射频LDMOS的热效应模型。本发明能够避免热效应对建模的影响,提高模型的精度和适应性,并能够减少建模的工作量,使其更易于实现。

申请人:常州工学院

地址:213032 江苏省常州市新北区辽河路666号

国籍:CN

代理机构:常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)

代理人:刘松

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