LN809_C

LN809

内置延时高精度低功耗电压检测

■ 产品概述

LN809系列是为微处理器和电子系统提供低功耗电压检测芯片，具高精度低温漂的特点。该系列产品检测电压基本涵盖大部分电子产品的需求。低静态电流是其重要的优点。产品系列中包含了CMOS输出和漏端开路的N管输出。由于内置延时，减少了应用电路中的外围器件。

■ 用途

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微处理器复位电路 记忆体电池备份电路 电源上电复位电路 电源无效检测

系统电池寿命和充电电压监测 延迟电路

■ 产品特点

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高精度： ± 1%，± 2% 低功耗：小于1.5μA

检测电压点：2.63V,2.93V,3.08V,4.0V,4.38V和 4.63V 工作范围： 0.7V ~6.0V

检测电压温度特性：±100ppm/℃(TYP.)

内置延时： 典型值50ms,100ms,200ms,400ms可选。 输出方式： N管漏端开路或CMOS

■ 封装

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SOT-23-3L SOT-23-3B

■ 产品订购信息

LN809 ①②③④⑤⑥⑦

编号 ① 表示 输出方式 符号 C N 26 29 ② ③ 检测电压 30 40 43 46 1 ④ 输出延时 2 4 5 ⑤ 检测精度 1 2 ⑥ 封装 器件定位 M V R L 描述 CMOS 输出 N管漏开路 2.63V 2.93V 3.08V 4.00V 4.38V 4.63V 70ms-150ms 330ms-500ms 150ms-270ms 30ms-80ms ±1.0% ±2.0% SOT-23-3L SOT-23-3B 卷带方向：正向 卷带方向：反向 ⑦ Rev.1.0 — Mar. 2, 2011 1 www.natlinear.com

LN809

■ 引脚配置  SOT-23-3L/B

VDD31Marking2341VSS2RESET

SOT-23-3(TOP VIEW)

■ 打印信息

① ② 表示输出类型与检测电压值 CMOS输出(LN809C系列) 标号 C1 C2 C3 C4 C5 C6 输出方式 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS 检测电压(V) 4.63 4.38 4.00 3.08 2.93 2.63 N管漏开路 (LN809N 系列) 标号 N1 N2 N3 N4 N5 N6 输出方式 N-ch N-ch N-ch N-ch N-ch N-ch 电压(V) 4.63 4.38 4.00 3.08 2.93 2.63 ③ 表示输出延时 标号 5 6 8 7 延时 70ms-150ms 330ms-500ms 150ms-270ms 30ms-80ms ④ 表示批号 (基于内部标准)

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■ 典型应用电路

■ 功能框图

■ 绝对最大额定值

参数 输入电压 输出电流 输出电压 功耗 操作温度范围 保存温度范围

CMOS N管漏开路 SOT-23-3 符号 VIN IOUT VOUT Pd Topr Tstg 最大值 6 50 VSS -0.3 ~ VIN + 0.3 VSS -0.3 ~6 150 -30～+85 -40～+125 mW ℃ ℃ 单位 V mA V

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单位 V V ■ 电学特性

参数 检测电压 迟滞范围 符号 VDF VHYS 测试条件 VIN = 1.5V VIN = 2.0V 最小值 典型值. 最大值. VDF(T) VDF(T) VDF(T) x 0.98 x 1.02 VDF VDF VDF x 0.002 x 0.005 x 0.008 0.7 70 330 150 30 1.0 1.0 1.1 1.1 1.2 2 7 10 11 13 -10 ±100 1.2 1.3 1.3 1.3 1.5 6 150 500ms 270 80 供给电流 ISS VIN = 3.0V VIN = 4.0V VIN = 5.0V μA 工作电压 VIN VDF= 2.63V 至 4.63V VIN = 1.5V VIN = 2.0V V 输出电流 IOUT N-ch VDF =0.5V VIN = 3.0V VIN = 4.0V VIN = 5.0V mA CMOS, P-ch VDF=2.63V VIN = 6.0V 监测电压温度特性 ΔVDF ΔTopr･ VDF LN809***1*** 瞬态延时 (VDR → VOUT 转换) TDLY LN809***2*** LN809***4*** LN809***5*** VDF (T)：检测电压点

恢复电压：VDR = VDF + VHYS

ppm/℃ ms ms ms ms 注释: 由于延时电流会具有功耗，在电压恢复后，延时电路作用的时间内，芯片总功耗将大于额定值

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■ 典型特性曲线

测试产品: VDF=2.63V

供给电流与输入电压 检测、释放电压 与环境温度 输出电压与输入电压 N管漏开路输出电流 与.VDS N管漏开路输出电流 与.输入电压 环境温度与瞬态延时

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■ 操作注释

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CMOS 输出（特别地注意第4点）

① 当Vin端输入电压高于释放电压release voltage (VDR)，这个电压将逐步降低。当VIN端输入电压高于检测电压detect voltage (VDF)，输出电压与输入电压相等。

注意N管漏开路输出方式中，Vin高时为输出等效高阻，采用上拉电阻，Vout应等于上拉电压。

② 当Vin下降至低于Vdf，Vout应该等于地电压。N管漏开路输出方式也是同样的功能。 当Vin低于最低工作电压，输出Vout是不稳定的。N管漏开路输出方式中输出会被逐渐被上拉。

④ Vin从地电位升起（不同于从高于最低工作电压的电位升起），在上升速度足够快的情况下，Vout等于上拉电压，否则将等于地电位，经过延时候等于上拉电压。

⑤ Vin高于释放电压后，Vout将保持地电位直至内置延时结束。

⑥ 延时结束后，Vin将等于Vout，注意N管漏开路输出方式中，使用用上拉电阻才能实现此功能。 注意：

1．VDR 与VDF的区别在于VDF存在VDR加迟滞电压

2．内置延时(tDLY)表示Vin恢复至超过VDF后，至输出Vout变为Vin的这段时间 

时序

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■ 封装形式

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SOT-23-3L

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SOT-23-3B

LN809

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