专利名称：高密度铟锡氧化物靶材及其制造方法专利类型：发明专利发明人：蒋政,樊世清申请号：CN00136711.0申请日：20001228公开号：CN1326909A公开日：20011219
摘要：本发明涉及一种用于制造透明导电薄膜的溅射用高密度氧化铟锡(ITO)靶材及其制造方法,其特征为:具有较高的密度,相对密度大于98%;成分均匀。其采用金属铟和金属锡为原料,用化学共沉淀法制造ITO粉,然后将ITO粉经热压成型,得到的压块经加工研磨后,制成ITO靶材。这种靶材可以用来制造透明导电薄膜。
申请人：蒋政
地址：065201 北京市东燕郊隧道局二处防疫站
国籍：CN
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