专利名称：一种低品质硅太阳能电池片制造方法专利类型：发明专利
发明人：张恩理,娄志林,谢剑刚申请号：CN200810143818.3申请日：20081205公开号：CN101752448A公开日：20100623
摘要：一种低品质硅太阳能电池片制造方法。主要是解决现有太阳能电池成本过高等技术问题。先将5N以下的硅料铸成锭或单晶生长炉拉成单晶棒，再切片，形成基体(2)；然后经过气相外延或液相外延在基体(2)表面生长出一层高质量的晶体硅，即外延层(1)；再在外延层(1)上用扩散工艺做出PN结。主要用于太阳能电池生产和制造。
申请人：湖南天利恩泽太阳能科技有限公司
地址：411102 湖南省湘潭市岳塘区芙蓉路怡景财富广场18楼
国籍：CN
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容