蓝宝石基无掩膜横向外延生长高质量的Ⅲ族氮化物薄膜

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200510003405.1 （22）申请日 2005.12.29 （71）申请人 深圳大学

地址 518060 广东省深圳市南山区南海大道2336号

（10）申请公布号 CN1992166A （43）申请公布日 2007.07.04

（72）发明人 彭冬生;冯玉春;牛憨笨;王文欣 （74）专利代理机构

代理人

（51）Int.CI

H01L21/20; H01L33/00; H01L31/00;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

蓝宝石基无掩膜横向外延生长高质量的Ⅲ族氮化物薄膜

（57）摘要

一种蓝宝石衬底上无掩膜横向外延生长高

质量的III族氮化物薄膜的新技术，该技术采用化学腐蚀的方法腐蚀蓝宝石衬底，以形成一定图案的蓝宝石衬底1，提供横向外延基底，缓冲层2为低温GaN薄膜，3为横向外延生长的高温GaN薄膜。缓冲层2首先在没有腐蚀坑位置的蓝宝石

衬底1处外延生长，形成一定的籽晶，在籽晶处外延生长的同时，改变外延生长工艺条件，使其横向外延，以使两翼在腐蚀坑处翼合，形成高质量、低位错密度的GaN薄膜3，这样就可以在GaN薄膜3上沉积高质量的III族氮化物薄膜4。这种横向外延技术不仅可以降低位错密度，而且克服了传统横向外延技术工艺复杂和晶向倾斜高的缺点。

法律状态

法律状态公告日

2007-07-04 2007-08-29 2009-06-17

法律状态信息

公开

实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

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发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书

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说明书

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