专利名称：等离子体处理装置及等离子体处理方法专利类型：发明专利
发明人：置田尚吾,水野文二,奥村智洋申请号：CN201510546576.2申请日：20150831公开号：CN105390360A公开日：20160309
摘要：一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，提高等离子体处理的工艺稳定性，对具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，等离子体处理装置具备：腔体，具有能减压的处理室；工艺气体供给部，向处理室供给工艺气体；减压机构，对处理室减压；等离子体激发装置，使处理室内产生等离子体；台，载置传送载体并设置于腔体内；冷却机构，对台冷却；罩体，覆盖载置于台上的传送载体的保持片的一部分和框架的至少一部分，具有使基板的至少一部分露出到等离子体的窗部；矫正部件，将载置于台上的传送载体的框架向台推压来矫正所述框架的歪斜；移动装置，使矫正部件相对于框架的相对位置移动，矫正部件设置为独立于罩体并被罩体覆盖。
申请人：松下知识产权经营株式会社
地址：日本大阪
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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