专利名称：R－T－B系烧结磁体的制造方法专利类型：发明专利发明人：藤森信彦
申请号：CN202010211423.3申请日：20200324公开号：CN111755189A公开日：20201009
摘要：本发明提供一种几乎不使用RH(具体使RH含量在0.5质量％以下)的用于制造具有高H和高H/H的R－T－B系烧结磁体的方法。解决手段为一种含有R：29.3质量％以上35.0质量％以下、B：0.80质量％以上0.91质量％以下、Ga：0.2质量％以上1.0质量％以下和T：61.5质量％以上69.5质量％以下且满足式(1)：[T]/55.85＞14[B]/10.8的R－T－B系烧结磁体的制造方法，该方法包括：准备合金粉末的工序；成型工序；烧结工序；和热处理工序。
申请人：日立金属株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
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