专利名称：制造具有低电阻装置接触的集成电路的方法专利类型：发明专利
发明人：赵烈,林萱,阿鲁纳恰拉姆·娲丽申请号：CN201310537422.8申请日：20131104公开号：CN103855080A公开日：20140611
摘要：本发明提供制造具有低电阻装置接触的集成电路的方法。一种方法包含沉积绝缘材料的ILD层覆于包含金属硅化物区域的装置区域上。蚀刻该ILD层以形成定义接触开口的侧壁，该接触开口穿过该ILD层形成并暴露出该金属硅化物区域。形成衬垫覆于该侧壁和该金属硅化物区域上，以及在该接触开口中定义内部凹洞。形成覆于该衬垫以及至少部分地填充该内部凹洞的铜层。蚀刻该铜层以暴露出该衬垫的上部，并且留下铜部分设置在该内部凹洞的底部。在该铜部分上无电沉积铜，以填充该内部凹洞的余留部分。
申请人：格罗方德半导体公司
地址：英属开曼群岛大开曼岛
国籍：KY
代理机构：北京戈程知识产权代理有限公司
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