专利名称：低接触电阻CMOS电路及其制造方法专利类型：发明专利发明人：P·R·贝瑟
申请号：CN200780021860.1申请日：20070329公开号：CN101467244A公开日：20090624
摘要：本发明提供了一种低接触电阻CMOS集成电路(50)及其制造方法。该CMOS集成电路(50)包含电性耦合到N型电路区(72，74)的第一过渡金属(102)、以及电性耦合到P型电路区(76，78)的第二过渡金属(98)，该第二过渡金属与该第一过渡金属不同。导电势垒层(104)覆于该第一过渡金属及该第二过渡金属的每一过渡金属上，且栓塞金属(110)覆于该导电势垒层上。
申请人：先进微装置公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京戈程知识产权代理有限公司
代理人：程伟
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