专利名称：一种镧负载双氨基修饰介孔硅材料及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：张鉴达,杨小雨,周美玲,于国强,乔志芳,张旭辉,常春
平,高伟明
申请号：CN201710169356.1申请日：20170321公开号：CN106964317A公开日：20170721
摘要：本发明公开了一种镧负载双氨基修饰介孔硅材料的制备方法，以氢氧化钠、十六烷基三甲基溴化铵、正硅酸四乙酯和水为原料制备出MCM‑41介孔硅材料，然后对MCM‑41介孔硅材料进行双氨基修饰，得到双氨基修饰介孔硅材料，最后用硝酸镧异丙醇进行镧负载，得到镧负载双氨基修饰介孔材料。该材料表面负载了大量的镧离子，通过镧离子与水体中的磷酸根作用，将磷酸根固定在吸附材料表面，从而去除水中磷酸根离子，可用于污水的吸附除磷工艺，吸附容量可达38mg/g以上，在制备磷酸根吸附剂方面具有良好的应用前景。
申请人：河北师范大学
地址：050024 河北省石家庄市南二环东路20号河北师大资环学院
国籍：CN
代理机构：西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：潘宏伟
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