专利名称：形成半导体器件金属互连的方法专利类型：发明专利发明人：朴相勋
申请号：CN95109442.4申请日：19950707公开号：CN1115117A公开日：19960117
摘要：一种形成半导体器件金属互连的方法，形成第一金属层和第一绝缘层，在第一绝缘层形成通孔，连接第一金属层与第二金属层，第二金属层是固定层，包括，第二绝缘层有一与第一金属层上的第一绝缘层相同的通孔；以第一金属层模型为蚀刻隔板覆盖第二绝缘层；把第一绝缘层和第一金属层用于蚀刻隔板作为蚀刻掩模；由一至三步，在结构上形成平面型第三绝缘层，暴露第二绝缘层；除去暴露的第二绝缘层；形成第二金属层。
申请人：现代电子产业株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：柳沈知识产权律师事务所
代理人：孙履平
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