专利名称：激光二极管装置专利类型：发明专利
发明人：艾尔弗雷德·莱尔,森克·陶茨,乌韦·施特劳斯,克莱门
斯·菲尔海利希
申请号：CN201510583595.2申请日：20130319公开号：CN105207052A公开日：20151230
摘要：本发明提出一种激光二极管装置，具有：壳体(1)，其具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的装配件(11)，装配件沿着延伸方向(110)远离壳体部件(10)延伸；以及在装配件(11)上的激光二极管芯片(2)，激光二极管芯片在衬底(20)上具有带用于辐射光的有源层(23)的半导体层(21、22、23、24)，其中在激光二极管芯片(2)和装配件(11)之间设有第一焊料层(3)，第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度，并且激光二极管芯片(2)具有辐射耦合输出面(27)，在辐射耦合输出面(27)上施加有结晶保护层(6)。
申请人：欧司朗光电半导体有限公司
地址：德国雷根斯堡
国籍：DE
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容