专利名称：一种直拉硅单晶生长过程热场模型辨识方法专利类型：发明专利发明人：刘丁,张晶
申请号：CN201811075342.4申请日：20180914公开号：CN109056056A公开日：20181221
摘要：本发明公开了一种直拉硅单晶生长过程热场模型辨识方法，首先通过采样装置分别获得加热器功率以及相同时刻下晶体直径采样数据，作为输入输出数据对；使用支持向量机方法确定系统的阶次和时滞，然后通过长短时记忆网络LSTM确定加热器功率‑直径的非线性和大时滞模型；最后将训练好的网络权值和阈值作为模型参数，整个网络作为辨识得到的加热器功率‑直径模型，本发明通过LSTM网络引入时间作用，保存过去和现在的系统信息，解决了传统模型不考虑时间作用，以及机理建模或者直接采用已有的惯性环节加纯滞后模型而造成模型精度不高的问题。
申请人：西安理工大学
地址：710048 陕西省西安市金花南路5号
国籍：CN
代理机构：西安弘理专利事务所
代理人：韩玙
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